| 资料名称： | GB/T14141-1993 GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1993-02-06◎ | ||
| 实施日期： | 1993-10-01◎ | ||
| 首发日期： | 1993-02-06◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 14141-1993 | |
| 标准名称： | 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | |
| 英文名称： | Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 国家标准(GB) GB/T14141-1993 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | ASTM F374-1984,EQV（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 峨眉半导体材料研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国标准出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 平装16开， 页数：6， 字数：9千字（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 11次 | |
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