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GB/T1552-1995 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

标准编号:GB/T1552-1995 整理时间:1995-04-18 浏览次数:59
资料名称: GB/T1552-1995 GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1995-04-18◎
实施日期: 1995-01-02◎
首发日期: 1979-05-26◎
复审日期: 2004-10-14◎
出版日期:
标准编号: GB/T 1552-1995
标准名称: 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
英文名称: Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array(仅供参考)
标准简介: GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法 国家标准(GB) GB/T1552-1995 本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍的硅、锗单晶圆片(简称圆片)的电阻率。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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替代情况: GB 1552-1979 GB 5251-1985 GB 6615-1986(仅供参考)
采标情况: NEQ ASTM F397-88(仅供参考)
发布部门: 国家技术监督局(仅供参考)
提出单位: 中华人民共和国化学工业部(仅供参考)
归口单位: 全国半导体材料和设备标准化技术委员会(仅供参考)
主管部门: 国家标准化管理委员会(仅供参考)
起草单位: 上海有色金属研究所(仅供参考)
起 草 人: (仅供参考)
出 版 社:

中国标准出版社(仅供参考)

页  数: 平装16开, 页数:17, 字数:29千字(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 3次
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