| 资料名称： | SJ1551-1979 SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1980-03-01◎ | ||
| 实施日期： | 1980-06-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | ◎ | ||
| 出版日期： | 1980-06-01◎ |
| 标准编号： | SJ 1551-1979 | |
| 标准名称： | 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) | |
| 英文名称： | Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)（仅供参考） | |
| 标准简介： | SJ 1551-1979 硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) 电子行业标准(SJ) SJ1551-1979 本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度，通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线，可求得电阻率。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | 中华人民共和国第四机械工业部（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | （仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
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| 页 数： | 4页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
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