| 资料名称： | GB/T14142-1993 GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1993-02-06◎ | ||
| 实施日期： | 1993-10-01◎ | ||
| 首发日期： | 1993-02-06◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | 1993-10-01◎ |
| 标准编号： | GB/T 14142-1993 | |
| 标准名称： | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | |
| 英文名称： | Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 国家标准(GB) GB/T14142-1993 本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。测量范围为0~10000cm-2。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | NEQ ASTM F80:1985（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 峨眉半导体材料研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国标准出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 7页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 1次 | |
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