资料名称: | GB/T14863-1993 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 |
标准类别: |
语 言: | 简体中文 | ||
授权形式: | 免费下载 | ||
标准状态: | ◎ | ||
作废日期: | ◎ | ||
发布日期: | 1993-01-02◎ | ||
实施日期: | 1994-10-01◎ | ||
首发日期: | 1993-12-30◎ | ||
复审日期: | 2004-10-14◎ | ||
出版日期: | ◎ |
标准编号: | GB/T 14863-1993 | |
标准名称: | 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 | |
英文名称: | STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes(仅供参考) |
标准简介: | GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法 国家标准(GB) GB/T14863-1993 本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压?电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层,也适用于体材料。 压缩包解压密码:www.51zbz.com | |
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替代情况: | (仅供参考) | |
采标情况: | (仅供参考) | |
发布部门: | 国家技术监督局(仅供参考) | |
提出单位: | (仅供参考) | |
归口单位: | 信息产业部(电子)(仅供参考) | |
主管部门: | 信息产业部(电子)(仅供参考) | |
起草单位: | 机械电子工业部(仅供参考) | |
起 草 人: | (仅供参考) | |
出 版 社: | 中国标准出版社(仅供参考) |
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页 数: | 平装16开, 页数:12, 字数:19千字(仅供参考) | |
书 号: | (仅供参考) | |
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