| 资料名称： | GB/T6617-1995 GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1995-04-18◎ | ||
| 实施日期： | 1995-01-02◎ | ||
| 首发日期： | 1986-07-26◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 6617-1995 | |
| 标准名称： | 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 | |
| 英文名称： | Test method for measuring resistivity of silicon wafers using spreading resistance probe（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 国家标准(GB) GB/T6617-1995 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。本标准适用于测量晶体取向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量与衬底同型或反型的硅外延层的电阻率。测量范围：10-3~102Ω·cm。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | GB 6617-1986（仅供参考） | |
| 采标情况： | ＝ASTM F525-88（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 电子部标准化所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国标准出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 平装16开， 页数：8， 字数：12千字（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 2次 | |
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