| 资料名称： | GB/T6616-1995 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1995-04-18◎ | ||
| 实施日期： | 1995-01-02◎ | ||
| 首发日期： | 1986-07-26◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 6616-1995 | |
| 标准名称： | 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 | |
| 英文名称： | Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 国家标准(GB) GB/T6616-1995 本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法。本标准适用于测量直径或边长大于30mm、厚度为0.1～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | GB 6616-1986（仅供参考） | |
| 采标情况： | ＝ASTM F673-90（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 电子部标准化所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国标准出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 平装16开， 页数：7， 字数：9千字（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
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