| 资料名称： | SJ2215.6-1982 SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1982-11-30◎ | ||
| 实施日期： | 1983-07-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | ◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | SJ 2215.6-1982 | |
| 标准名称： | 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法 | |
| 英文名称： | Method of measurement for junction capacitance of semiconductor photocouplers (diodes)（仅供参考） | |
| 标准简介： | SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器（二极管）结电容的测试方法 电子行业标准(SJ) SJ2215.6-1982 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
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| 替代情况： | （仅供参考） | |
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| 发布部门： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
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| 起草单位： | （仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
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| 页 数： | 1页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
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