当前位置:我要找标准信息网首页 > 电子行业标准(SJ) 下载内容

SJ2215.5-1982 SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法

标准编号:SJ2215.5-1982 整理时间:1982-11-30 浏览次数:15
资料名称: SJ2215.5-1982 SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1982-11-30◎
实施日期: 1983-07-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期:
标准编号: SJ 2215.5-1982
标准名称: 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
英文名称: Method of measurement for reverse breakdown voltage of semiconductor photocouplers (diodes)(仅供参考)
标准简介: SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法 电子行业标准(SJ) SJ2215.5-1982 压缩包解压密码:www.51zbz.com
推荐链接: 载入中
替代情况: (仅供参考)
采标情况: (仅供参考)
发布部门: (仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: (仅供参考)
主管部门: (仅供参考)
起草单位: (仅供参考)
起 草 人: (仅供参考)
出 版 社:

(仅供参考)

页  数: 1页(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 1次
下载地址: 点此打开推荐最佳下载地址
上一篇:SJ 2215.4-1982 半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法 下一篇:SJ 2215.6-1982 半导体光耦合器(二极管)结电容的测试方法 相关链接:
    无相关信息

互联网 本站内
RSS订阅 - 设为首页 - 收藏本站 - - 返回顶部
如有意见和建议,请E-mail至admin@51zbz.cn ©2008 我要找标准信息网 www.51zbz.cn