| 资料名称： | SJ20858-2002 SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 2002-12-12◎ | ||
| 实施日期： | 2003-05-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | ◎ | ||
| 出版日期： | 2004-04-19◎ |
| 标准编号： | SJ 20858-2002 | |
| 标准名称： | 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 | |
| 英文名称： | Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material（仅供参考） | |
| 标准简介： | SJ 20858-2002 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 电子行业标准(SJ) SJ20858-2002 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | 中国电子科技集团公司第四十六所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 工业电子出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 9页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 2次 | |
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