| 资料名称： | GB/T17170-1997 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1997-01-02◎ | ||
| 实施日期： | 1998-08-01◎ | ||
| 首发日期： | 1997-12-22◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | 2004-04-12◎ |
| 标准编号： | GB/T 17170-1997 | |
| 标准名称： | 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 | |
| 英文名称： | Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 国家标准(GB) GB/T17170-1997 本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL２浓度红外吸收测试方法。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
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| 替代情况： | SJ 3249.4-1989（仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 电子工业部第四十六研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国标准出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 平装16开， 页数：7， 字数：9千字（仅供参考） | |
| 书 号： | 155066.1-14931（仅供参考） | |
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