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SJ50033.52-1994 SJ 50033.52-1994 半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

标准编号:SJ50033.52-1994 整理时间:1994-09-30 浏览次数:7
资料名称: SJ50033.52-1994 SJ 50033.52-1994 半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1994-09-30◎
实施日期: 1994-12-01◎
首发日期:
复审日期:
出版日期: 1994-12-01◎
标准编号: SJ 50033.52-1994
标准名称: 半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
英文名称: Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0529 GaAs microwave power field effect transistor(仅供参考)
标准简介: SJ 50033.52-1994 半导体分立器件 CS0529型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ50033.52-1994 本规范规定了CS0529型砷化镓微波功率场效应(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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替代情况: (仅供参考)
采标情况: (仅供参考)
发布部门: 中华人民共和国电子工业部(仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: 中国电子技术标准化研究所(仅供参考)
主管部门: (仅供参考)
起草单位: 电子工业部第五十五研究所(仅供参考)
起 草 人: 黄玉英、李祖华、王长福(仅供参考)
出 版 社:

中国电子工业出版社(仅供参考)

页  数: 13页(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
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