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GB11297.7-1989 GB 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

标准编号:GB11297.7-1989 整理时间:1988-10-09 浏览次数:17
资料名称: GB11297.7-1989 GB 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 1988-10-09◎
实施日期: 1990-01-01◎
首发日期: 1989-03-31◎
复审日期: 2004-10-14◎
出版日期:
标准编号: GB 11297.7-1989
标准名称: 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
英文名称: Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals(仅供参考)
标准简介: GB 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法 国家标准(GB) GB11297.7-1989 本方法适用于长方体和薄片锑化甸单晶样品的电阻率和堆耳系数的测量。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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替代情况: (仅供参考)
采标情况: (仅供参考)
发布部门: 中华人民共和国机械电子工业部(仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: 全国半导体材料和设备标准化技术委员会(仅供参考)
主管部门: 国家标准化管理委员会(仅供参考)
起草单位: 航天工业部8358研究所和机械电子工业部第十一研究所(仅供参考)
起 草 人: 徐向东、尹洁(仅供参考)
出 版 社:

中国标准出版社(仅供参考)

页  数: 23页(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 6次
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