| 资料名称： | SJ966-1975 SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1975-07-26◎ | ||
| 实施日期： | 1976-06-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | ◎ | ||
| 出版日期： | 1976-06-01◎ |
| 标准编号： | SJ 966-1975 | |
| 标准名称： | 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法 | |
| 英文名称： | Methods of measurement for reverse breakdown voltage of silicon switching diodes（仅供参考） | |
| 标准简介： | SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法 电子行业标准(SJ) SJ966-1975 本标准适用于硅开关二极管反向击穿电压的测试。测试反向击穿电压总的要求应符合SJ962-75. 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | 中华人民共和国第四机械工业部（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | （仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 中国电子工业出版社（仅供参考） |
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| 页 数： | 2页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 0次 | |
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