| 资料名称： | GB/T15450-1995 GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | 已作废◎ | ||
| 作废日期： | 2005-10-14◎ | ||
| 发布日期： | 1995-01-05◎ | ||
| 实施日期： | 1995-08-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 15450-1995 | |
| 标准名称： | 硅双栅场效应晶体管空白详细规范 | |
| 英文名称： | Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范 国家标准(GB) GB/T15450-1995 本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应晶体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》，GB 12560《半导体器件分立器件分规范》 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | 作废;（仅供参考） | |
| 采标情况： | IEC 747-8-1,IDT（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 全国半导体器件标准化技术委员会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 信息产业部（电子）（仅供参考） | |
| 起草单位： | 上海无线电十四厂（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
|
| 页 数： | 平装16开， 页数：16， 字数：25千字（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 0次 | |
| 下载地址： | 点此打开推荐最佳下载地址 | |