| 资料名称： | GB/T11073-1989 GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | 已作废◎ | ||
| 作废日期： | 2008-02-01◎ | ||
| 发布日期： | 1989-03-31◎ | ||
| 实施日期： | 1990-02-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | 2004-10-14◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | GB/T 11073-1989 | |
| 标准名称： | 硅片径向电阻率变化的测量方法 | |
| 英文名称： | Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices（仅供参考） | |
| 标准简介： | GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法 国家标准(GB) GB/T11073-1989 本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | 被GB/T 11073-2007替代（仅供参考） | |
| 采标情况： | ＝ASTM F81-82（仅供参考） | |
| 发布部门： | 国家技术监督局（仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | 中国有色金属工业协会（仅供参考） | |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会（仅供参考） | |
| 起草单位： | 峨嵋半导体材料研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
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| 页 数： | 14页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 4次 | |
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