| 资料名称： | SJ20061-1992 SJ 20061-1992 半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1992-11-19◎ | ||
| 实施日期： | 1993-05-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | ◎ | ||
| 出版日期： | ◎ |
| 标准编号： | SJ 20061-1992 | |
| 标准名称： | 半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 | |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS146（仅供参考） | |
| 标准简介： | SJ 20061-1992 半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范 电子行业标准(SJ) SJ20061-1992 本规范规定了CS146型硅Ｎ沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求，该种器件按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所（仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | （仅供参考） |
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| 页 数： | 12页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
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