| 资料名称： | SJ/T10627-1995 SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法 |
| 标准类别： |
| 语 言： | 简体中文 | ||
| 授权形式： | 免费下载 | ||
| 标准状态： | ◎ | ||
| 作废日期： | ◎ | ||
| 发布日期： | 1995-04-22◎ | ||
| 实施日期： | 1995-10-01◎ | ||
| 首发日期： | ◎ | ||
| 复审日期： | ◎ | ||
| 出版日期： | 2004-04-18◎ |
| 标准编号： | SJ/T 10627-1995 | |
| 标准名称： | 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法 | |
| 英文名称： | Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction（仅供参考） | |
| 标准简介： | SJ/T 10627-1995 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法 电子行业标准(SJ) SJ/T10627-1995 压缩包解压密码：www.51zbz.com | |
| 推荐链接： | 载入中 | |
| 替代情况： | （仅供参考） | |
| 采标情况： | （仅供参考） | |
| 发布部门： | （仅供参考） | |
| 提出单位： | （仅供参考） | |
| 归口单位： | （仅供参考） | |
| 主管部门： | （仅供参考） | |
| 起草单位： | （仅供参考） | |
| 起 草 人： | （仅供参考） | |
| 出 版 社： | 电子工业部标准化研究（仅供参考） |
|
| 页 数： | 6页（仅供参考） | |
| 书 号： | （仅供参考） | |
| 下载次数： | 0次 | |
| 下载地址： | 点此打开推荐最佳下载地址 | |