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GB/T5252-2006 GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

标准编号:GB/T5252-2006 整理时间:2006-07-18 浏览次数:42
资料名称: GB/T5252-2006 GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
标准类别:
语  言: 简体中文
授权形式: 免费下载
标准状态:
作废日期:
发布日期: 2006-07-18◎
实施日期: 2006-11-01◎
首发日期: 1985-07-22◎
复审日期:
出版日期: 2006-11-01◎
标准编号: GB/T 5252-2006
标准名称: 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
英文名称: Germanium monocrystal - inspection of dislocation etch pit density(仅供参考)
标准简介: GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法 国家标准(GB) GB/T5252-2006 本标准适用于位错密度0 --100000 的 型和 型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为[111]、[100]和[113]面。 压缩包解压密码:www.51zbz.com
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替代情况: 替代GB/T 5252-1985(仅供参考)
采标情况: (仅供参考)
发布部门: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会(仅供参考)
提出单位: (仅供参考)
归口单位: 中国有色金属工业协会(仅供参考)
主管部门: 中国有色金属工业协会(仅供参考)
起草单位: 北京有色金属研究总院(仅供参考)
起 草 人: (仅供参考)
出 版 社:

中国标准出版社(仅供参考)

页  数: 平装16开/页数:9/字数:13千字(仅供参考)
书  号: (仅供参考)
下载次数: 18次
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